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MBE法和HVPE法生長(zhǎng)GaN光學(xué)性質(zhì)比較

發(fā)布時(shí)間:2013-08-05 11:30:21點(diǎn)擊數(shù):1140次

利用反射光譜和光致發(fā)光譜,對(duì)采用氫化物氣相外延法(HVPE)和分子束外延法(MBE)生長(zhǎng)GaN樣品的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。由反射光譜得出樣品的膜厚和禁帶寬,同時(shí)也說(shuō)明了HVPE法生長(zhǎng)GaN的速率快于MBE法。而通過(guò)不同積分時(shí)間下的光致發(fā)光譜的分析,可以看出MBE制備樣品中沒(méi)有明顯的黃帶發(fā)光現(xiàn)象,而且?guī)н叞l(fā)光峰光強(qiáng)比HVPE樣品強(qiáng),初步結(jié)論是MBE比HVPE制備樣品質(zhì)量好。

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